3月11日，天成半导体公布继12英寸双冲破后，依托自立研发装备乐成研制出14英寸碳化硅单晶质料，有用厚度达30㎜。
天成半导体于2025年已经把握12英寸高纯半绝缘及N型单晶生长双成熟工艺，且12英寸N型碳化硅单晶质料晶体有用厚度冲破35㎜厚。
14英寸碳化硅单晶质料则重要运用在碳化硅部件，即以碳化硅和其复合质料为重要质料的装备零部件。
碳化硅质料的部件具有密度高、热传导率高、弯曲强度年夜、弹性模数年夜等特征，可以或许顺应晶圆外延、刻蚀等制造环节的强腐化性、超高温的卑劣反映情况，被广泛运用在等离子体刻蚀、外延生长、快速热处置惩罚、薄膜沉积、氧化/扩散、离子注入等重要半导体系体例造环节的装备中。
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