3月13日,据媒体援引未签字业内子士的话报导,三星电子正于与英伟达互助加快开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达及佐治亚州理工学院的结合研究团队开发出一种“物理信息神经算子”模子,能以比现有模子快10,000倍以上的速率阐发铁电基NAND器件的机能,并宣布了研究结果。基在相干研究结果,三星正与英伟达互助开发及贸易化铁电NAND闪存。

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