按照韩媒ZDNet报导，三星电子次世代体系单芯片（SoC）Exynos 2800（代号Vanguard）将不采用原先计划的1.4纳米制程，转而采用进级版2纳米GAA制程（SF2P+），并方针在本年内完成设计（Tape-out）。
报导指出，三星已经将1.4纳米（SF1.4）量产时程延后，改以行将量产的第二代2纳米制程SF2P和其进级版本SF2P+作为主力节点，以于不推高成本的环境下优化芯片机能与功耗体现。
SF2P相较第一代2纳米（SF2）可晋升约12%机能，同时降低25%功耗并缩小8%芯单方面积；进一步导入的SF2P+则透过光学缩减（Optic Shrink）技能压缩电路尺寸，有助晋升总体效能与能效。
三星连续沿用2纳米制程，亦有助降低设计难度，并晋升晶圆代工真个良率不变性。业界吐露，三星本年估计量产的Exynos 2700（代号Ulysses），其设计进度亦相对于顺遂。
至在1.4纳米制程结构，台积电估计在2028年导入1.4纳米量产；英特尔14A制程则计划在2027年举行危害试产、2028年量产；相较之下，三星则将1.4纳米时程延后至2029年。
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