近日，韩国 8 英寸纯晶圆代工场 SK 启方半导体（SK keyfoundry） 公布，已经乐成开发出笼罩 450V 至 2300V 电压规模的碳化硅（SiC）平面 MOSFET 工艺平台。
官方资料显示，该工艺平台于高压事情情况下揭示了卓着的不变性及靠得住性。经由过程邃密的制程管控及工艺优化，SK 启方半导体已经将该平台的出产良率晋升至 90% 以上。此外，公司还有提供差异化的“定制化工艺撑持办事”，可以或许按照客户的详细需求微调电气特征。
陪同平台开发完成，SK 启方半导体公布已经得到一家 SiC 设计厂商的 1200V 高压产物开发定单，产物将重要运用在工业装备的节能治理。今朝相干研发已经启动，估计于完成样品评估后，将在 2027 年上半年进入周全量产。
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