据韩国媒体 BusinessKorea 报导，全世界半导体巨头三星电子（Samsung Electronics）近日正式确认，已经启动第八代高带宽内存 HBM5 的开发事情。于这一代产物中，三星规划打破行业传统，于其底层芯片（Base Die）上初次运用 2 纳米（nm） 进步前辈制程工艺。
于近日在美国加州进行的行业技能传递会上，三星电子内存营业高管吐露了公司于 AI 存储范畴的最新线路图：
HBM5（第八代）： 其底层芯片将由三星代工（Foundry）部分采用 2 纳米 工艺制造。比拟 HBM4 所利用的 4 纳米工艺，2 纳米制程能显著晋升芯片的功耗效率与热治理能力，从而应答 AI 算力飙升带来的散热难题。其焦点存储芯片（Core Die）将沿用 1c（第六代 10 纳米级）工艺。
HBM5E（第九代）： 三星规划采纳更激进的计谋，于焦点芯片上提早运用 1d（第七代 10 纳米级）DRAM 工艺。这象征着三星将于极短的时间内完成从 1c 到 1d 的技能超过，以寻求极致的数据传输密度。
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