近期，媒体报导三星电子规划本年第三季度出产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司已经订购原质料及组件。
三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET， 聚焦车规级、工业级等高靠得住性运用。将来三星还有规划拓展沟槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、功率模块等全系列产物，完美碳化硅功率器件产物矩阵。
业界认为，三星于碳化硅范畴的动作是其完美半导体财产结构、补齐功率器件短板的要害举措。2023年三星电子便已经礼聘安森美半导体前高管洪锡俊（Stephen Hong）担当副总裁，卖力组建碳化硅功率半导体营业团队，并建立专门的营业部分（V-TF）鞭策相干技能研发。
同时，三星综合技能院等机构踊跃介入碳化硅沟槽MOSFET等焦点技能的研发，申请了多项相干专利，旨于晋升器件机能及靠得住性。
出产方面，媒体披露，三星投资约1000亿至2000亿韩元引进进步前辈工艺装备，包括Aixtron的MOCVD装备，用在碳化硅及氮化镓（GaN）晶圆加工。三星规划跳过传统的6英寸晶圆阶段，采用8英寸晶圆制造碳化硅器件，晋升出产效率及范围。
除了此以外，三星的结构也有望鞭策韩国碳化硅财产集群设置装备摆设，助力韩国于全世界第三代半导体竞争中盘踞有益职位地方。
稍早以前，韩国财产互市资源部（MOTIE）正式公布建立“下一代功率半导体推进小组”，并发布了旨于强化国度竞争力的五年步履规划。
该规划的焦点方针是到2030年，将韩国下一代功率半导体的技能自立率从今朝的10%年夜幅晋升至20%，标记着韩国已经将基在碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）等质料的功率半导体晋升至“国度战略基础举措措施”的高度。
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