2 月 23 日，北京年夜学电子学院邱晨曦研究员、彭练矛院士团队公布庞大科研冲破，乐成将铁电晶体管的物理栅长缩减至1 纳米物理极限，研制出迄今全世界尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管，为后摩尔时代芯片微缩与 AI 芯片能效晋升提供要害器件支撑，相干结果已经于线发表在国际顶级期刊《科学・进展》。
该团队经由过程立异纳米栅极布局设计，使用电场会聚加强效应，于原子标准实现对于铁电质料的高效调控，使器件可于0.6V 超低电压下事情，能耗低至0.45 fJ/μm，较国际现有最优程度年夜幅降低一个数目级，同时冲破传统铁电器件高电压、高功耗的技能瓶颈。
作为芯片焦点基础器件，这款 1 纳米铁电晶体管兼具非易掉性存储与超低功耗上风，可直接兼容现有 CMOS 工艺，将来有望广泛运用在高密度存储、低功耗计较与高算力 AI 芯片，鞭策我国于进步前辈半导体器件范畴实现自立立异与技能领跑。
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